secondary impact electron

基本解釋

• [電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)]二次碰撞電子

英漢例句

雙語(yǔ)例句

• Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current, channel hot hole, electron injection current, and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.
  柵電流由四部分組成 ：直接隧穿電流、溝道熱空穴、一次碰撞電離産生的電子注入、二次碰撞電離産生的空穴注入 。

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專業(yè)釋義

電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)

• 二次碰撞電子