molecular beam epitaxy

基本解釋

• 分子束外延

英漢例句

雙語(yǔ)例句

• The samples were grown on sapphire substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
  樣品利用分子束外延技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)。
• Molecular-beam epitaxy and dynamic growth with long-range space and temporal correlations are analysed using scaling analysis approach.
  用直接標(biāo)度分析方法研究了分子束外延生長(zhǎng)和在長(zhǎng)程時(shí)間、空間關(guān)聯(lián)條件下的動(dòng)力生長(zhǎng)過(guò)程。
• Gallium nitride is grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on (111) and (001) silicon substrates using hafnium nitride buffer layers.
  氮化鎵是增長(zhǎng)了等離子躰輔助（111）和分子束外延（001）矽襯底上氮化矽緩沖層使用鉿。

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詞組短語(yǔ)

短語(yǔ)

• the molecular -beam epitaxy growth equation 分子束外延生長(zhǎng)方程
• MBE -Molecular Beam Epitaxy 分子束外延法
• plasma -assisted molecular beam epitaxy 等離躰輔助分子束外延
• metal -organic molecular beam epitaxy 金屬有機(jī)物分子束泵晶

• molecular beam epitaxy更多詞組

專業(yè)釋義

電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)

• 分子束外延
• 分子束磊晶

計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)

• 分子束外延